Корпорация Интел (Intel Сorporation) объявила о завершении разработки нового технологического процесса производства микросхем с нормами 32 нанометра.

32-нанометровый техпроцесс подразумевает применение 193-нм иммерсионной литографии и методики HKMG (high-k + metal gate) второго поколения, основанной на использовании диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) и транзисторов с металлическими затворами (metal gate). Интел планирует обнародовать подробную информацию о 32-нанометровом технологическом процессе и других разработках на конференции International Electron Devices Meeting (IEDM), которая пройдет на следующей неделе в Сан-Франциско (США).

Предполагается, что серийное производство продукции по технологии с нормами 32 нанометра начнется в четвертом квартале следующего года. В частности, этот техпроцесс будет применяться при выпуске аппаратной платформы для нетбуков нового поколения, известной под кодовым названием Medfield. Портативные устройства, построенные на этой платформе, как ожидается, появятся на рынке в 2010 году.

Cреди других докладов, которые Интел планирует представить на конференции – сообщения о маломощном чипе для 45-нанометровой технологии; о транзисторах на базе композиционных полупроводников; о новой разработке подложки для повышения производительности 45-нм транзисторов; об интегрированном химико-механическом процессе полировки для 45-нм и последующих размерных рядов технологии; об интегрированной матрице фотонных модуляторов на кремнии. Интел также планирует участвовать в дискуссии по 22-нм технологии КМОП (CMOS Technology).

Евгений Биргер