Freescale Semiconductor Inc. (шт. Техас, США) продолжает продвигать на потребительский рынок магниторезистивную оперативную память (MRAM), подчеркивая повышенную надежность новой запоминающей технологии.

Другие преимущества MRAM – энергонезависимость, а также возможность стирать и перезаписывать индивидуальные биты неограниченное число раз (для сравнения, флэш-память может стирать и записывать только блоки битов меньше 1 млн.(!) раз, после чего могут начинаться сбои в работе).

Несмотря на эти преимущества, MRAM довольно медленно входит на рынок из-за трудностей с дальнейшим увеличением емкости и из-за относительно высокой стоимости (MRAM емкостью 4 Мб с временем записи и считывания 35 нс продавалась в 2006 г. по цене 25 долл., недавно цена снижена до 15 долл., для сравнения, цена 4 Мб полупроводникой флэш-памяти – 5 долл.).

Freescale исследует и разрабатывает MRAM-технологию уже более 10 лет. В продаже пока ее дискретные MRAM емкостью 1, 2 и 4 Мб, изготавливаемые по 180-нм технологии на фабрике Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.

Ближайшая цель Freescale – ввести MRAM в систему управления автомобиля. Компания разрабатывает 16 Мб MRAM по 130-нм технологии, ориентированную на взаимодействие с различными автомобильными датчиками, в частности, в устройстве автомобильного акселерометра [1].

Рис. 1. Схема магнитного туннельного перехода

Freescale продвигает MRAM не как независимый рыночный продукт, а вставляя ее в качестве энергонезависимого запоминающего устройства в контроллеры и SoCs (системы-на-кристалле), выпускаемые компанией. Freescale сотрудничает со многими производителями автомобилей для проведения испытаний надежности MRAM в важном для автомобилей температурном диапазоне 40–125°C.

В разработки и производство MRAM включилась также компания Honeywell (США), заключив с Freescale лицензионное соглашение на использование ее базовой технологии. Honeywell работает над расширением рабочего температурного диапазона MRAM до военного стандарта –55 to +125 °C, чтобы удовлетворить требованиям аэрокосмической промышленности.

Рис. 2. Инженеры инспектируют магнитометрическую систему компании Angstrom Aerospace на основе MRAM для японского исследовательского спутника SpriteSat.

Шведская Angstrom Aerospace Corp. недавно аннонсировала свое решение использовать 4 Mб MRAM компании Freescale в составе магнитометрической системы, которая будет запущена в космос на борту японского исследовательского спутника SpriteSat [2]. Спутник выйдет на орбиту во второй половине 2008 г. и предназначен для проведения мониторинга магнитного поля Земли

Автор – С.Т.К.