Cymer ускоряет разработку 13,5 нм источника для ЭУФ литографии

-->

Компания Cymer Inc. (San Diego, США), ведущий в мире производитель источников света для литографических установок, поставила цель – разработать до конца с.г. источник излучения для экстремальной ультрафтолетовой (ЭУФ) литографии, работающий в постоянном режиме при мощности излучения не менее 100 Вт [1].

Источник использует 13,5 нм излучение плазмы, возбуждаемой лазером (в данном случае, это газовый 10 кВт СО2 лазер). Прибор первого поколения будет излучать в течение 8 часов непрерывной работы, а затем, после двухчасового «отдыха» может начать работать снова. Прибор второго поколения будет работать в непрерывном режиме в течение любого разумного периода времени.

Istochnik_ul_trafioleta.jpgИсточник экстремального ультрафиолета компании Cymer Inc.

Cymer Inc. разрабатывает источник совместно с учеными University оf California at San Diego, зарегистрировавшими патент на свое открытие, заключающее в том, более длинные импульсы СО2 лазерной системы позволяют сделать ЭУФ литографическую систему более эффективной, простой и дешевой в сравнении со случаем использования короткоимпульсных лазеров [2].

Cymer также поставляет 90 Вт источники излучения на основе фторид аргонного (ArF) лазера для иммерсионной литографии, используемой в 32-нм технологии [3].

С.Т.К.

Опубликовано в NanoWeek,


Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4 (1 vote)
Источник(и):

1. Semiconductor: Cymer’s Year-End EUV Goal: A Full Shift

2. Nanowerk:Researchers create enhanced light sources for lithography

3. Semiconductor: Industry's First Order Placed for a 90W Light Source; Major Scanner Manufacturer Purchases Cymer's XLR 600i; System's Enhanced Performance Enables High Volume Immersion and Double Patterning at Lower Operating Costs